Transistor và ứng dụng trong điều khiển động cơ DC

Thảo luận trong 'Điện Tử - Điện Lạnh - Điện Gia Dụng' bắt đầu bởi Vietnic, 3 Tháng tám 2018.

  1. Vietnic

    Vietnic Member Thành viên

    Bài viết:
    27
    Đã được thích:
    0
    Diendanraovataz.net - Diễn đàn rao vặt - Đăng tin mua bán - Quảng cáo miễn phí - Hiệu quả - Trong bài viết này, tôi chỉ trình bày những khía cạnh cơ bản và đơn giản nhất của Transistor, phù hợp với nhu cầu kiến thức của người dùng các linh kiện điện tử. Một số thuật ngữ, cách giải thích về transistor cũng được tôi cố gắng làm giảm để phù hợp với tất cả các đối tượng không chuyên về điện tử.
    Transistor đầu tiên của loài người trông như thế này

    [​IMG]

    Hiện nay, chúng trông như thế này

    [​IMG]

    Nhà phát minh ra Transistor
    [​IMG]

    Hình ảnh (từ trái sang) của John Bardeen, William Shockley và Walter Brattain - các nhà phát minh ra transistor năm 1948 tại Bell Labs. Đây là một trong một loạt các hình ảnh công khai được công bố bởi Bell Labs trong khoảng thời gian công khai sáng chế (30/06/1948). Mặc dù Shockley không tham gia vào các sáng chế, và chưa bao giờ được liệt kê trên các ứng dụng bằng sáng chế, Bell Labs vẫn quyết định rằng Shockley phải xuất hiện trên tất cả các hình ảnh công khai cùng với Bardeen và Brattain.

    Phân loại Transistor
    Transistor có rất nhiều loại với hàng tá chức năng chuyên biệt khác nhau

    • Transistor lưỡng cực (BJT - Bipolar junction transistor)

    • Transistor hiệu ứng trường (Field-effect transistor)

    • Transistor mối đơn cực UJT (Unijunction transistor)

    • ...
    Trong đó, transistor lưỡng cực BJT là phổ biến nhất. Có nhiều người thường xem khái niệm transistor như là transistor lưỡng cực BJT. Do vậy bạn nên chú ý đến điều đó để tránh nhầm lẫn cho mình.

    Tìm hiểu về hoạt động của Transistor
    Một số quy ước về kí hiệu:

    • IB: (cường độ) dòng điện qua cực Base của transistor.

    • IC: (cường độ) dòng điện qua cực Collector của transistor.

    • IE: (cường độ) dòng điện qua cực Emitter của transistor.

    • IR: (cường độ) dòng điện qua điện trở R.

    • VBE: (độ lớn) hiệu điện thế giữa 2 cực Base và Emitter của transistor. Các thông số tương tự cũng dùng kí hiệu tương tự.

    • UB: điện áp ở cực Base. Các thông số tương tự cũng dùng kí hiệu tương tự.
    Transistor ngược NPN
    Xét mạch điện sau

    [​IMG]

    Nếu bạn quyết định mắc thử mạch ...

    • Có thể sử dụng nguồn điện là pin tiểu, pin vuông 9V. Sử dụng các loại pin sạc là tốt nhất.

    • Nếu chưa biết các cực của transistor, hãy tìm trên Google với từ khóa là tên của transistor bạn đang dùng. Trong mạch mình sử dụng loại TIP120(cấu tạo). Bạn nên sử dụng các transistor kiểu như vậy.

    • Khi đóng khóa K, hãy cẩn thận khi chạm tay vào điện trở R, tôi không nói rằng bạn cần chạm tay trực tiếp vào đó.

    • Không nên đóng khóa K quá lâu để tránh làm cháy điện trở R.
    Quan sát, đo đạc
    • Khi khóa K mở, không có dòng điện qua cực Base, điện trở R không tỏa nhiệt chứng tỏ không có dòng điện qua nó.

    • Khi khóa K đóng, điện trở R tỏa nhiệt chứng tỏ có dòng điện qua nó, đồng thời cũng có dòng điện qua cực Base của transistor.
      • Có dòng điện qua R chứng tỏ có dòng điện đã đi vào transistor ở Collector. Điều này khẳng định rằng phải có dòng điện đi ra từ Emitter để về cực âm của nguồn.

      • Không thể có dòng điện đi ra từ cực Base, chỉ có thể là chiều ngược lại vào cực này.

      • Xét về độ lớn, nếu lấy đồng hồ đo IB, IC (IR = IC), IE thì ta thấy IB nhỏ hơn rất nhiều so với IC và IE, còn IE thì luôn lớn hơn IC một chút xíu. Có thể kết luận dòng điện trong mạch chủ yếu là dòng đi từ Collector đến Emitter của transistor. Điều này giải thích lí do vì sao trong kí hiệu transistor, người ta sử dụng một mũi tên ám chỉ chiều dòng điện.

      • Nếu tính toán một tí từ độ lớn của IB, IC, IE, ta nhận thấy IE gần bằng IB + IC. Hãy thử giảm 2 điện trở trong mạch xuống một chút xíu (thay điện trở khác) để nâng cường độ dòng điện lên, bạn sẽ thấy IE gần bằng IB + IC hơn. Như vậy, khi transistor hoạt động, dòng điện ra khỏi Emitter là dòng điện đi vào từ Collector đến Emitter và dòng điện đi vào từ Base đến Emitter.
    Thử nghiệm 1
    Thay vì mắc điện trở R ở phía Collector, ta thử mắc nó ở phía Emitter của transistor. Rõ ràng điều này không có khác biệt gì nhiều về mặt hoạt động so với cách mắc trước.

    [​IMG]

    Bây giờ, ta sử dụng một cầu phân áp để thay đổi điện áp đặt vào cực Base của transistor. Tính toán lại các điện trở sao cho cường độ dòng điện vào Base vẫn không đổi.

    [​IMG]

    Khi đóng khóa K, kiểm tra điện trở R, ta thấy nó tỏa nhiệt ít hơn hẳn so với ban đầu. Tại sao vậy ? Cường độ dòng điện qua điện trở vẫn không đổi, nhưng công suất tỏa nhiệt của nó giảm chứng tỏ hiệu điện thế giữa 2 đầu điện trở giảm. Sử dụng đồng hồ đo điện áp tại 3 cực của transistor, ta nhận thấy rằng UB gần bằng UE.

    Thay đổi các điện trở phân áp, ta thay đổi UB. Bằng các phép đo bởi đồng hồ, ta nhận thấy rằng hiệu UB - UEluôn bằng khoảng 0.5V trong mọi trường hợp thay đổi UB. Có thể kết luận rằng trong quá trình hoạt động của transistor, UB luôn gần bằng UE.
     
    Cùng đọc NỘI QUY DIỄN ĐÀN và ý thức thực hiện cùng BQT xây dựng cộng đồng thêm vững mạnh bạn nhé
    ***** Xin đừng Spam vì một diễn đàn trong sạch *****
Địa chỉ thu mua do cu ho chi minh uy tín, Official Premium Account Reseller Premiumkeystore.com Easily, Instant delivery & Trusted.

Chia sẻ trang này